Сильным изобретательским приемом является переход от од-
ного диапазона излучения к другому.
А.с. 232 391: Способ определения экспозиции засветки
фоторезисторов на основе диасоединений и азидов в процессе фо-
толитографии, отличающийся тем, что с целью улучшения воспро-
изводимости и увеличения выхода годных приборов, полупроводни-
ковый эпитаксиальный материал с нанесеным на него фоторезистом
облучают ультрафиолетовым или видимым светом, причем экспози-
цию определяют по времени исчезновения полосы поглощения плен-
ки фоторезиста в области 2000-2500 см. в минус первой степени
. Здесь облучают коротковолновым светом, а изменение свойств
регистрируют по поглощению в инфракрасной области - 2000 см. в
минус первой степени соответствуют длине волны 3,07 мкм.
13.1.1. Световое излучение может передавать свою энергию
телу не только нагревая его или возбуждая его атомы, но и вви-
де механического давления. Световое давление проявляется в
том, что на освещаемую поверхность тела в направлении расп-
ространения света действует распределенная сила, пропорцио-
нальная плотности световой энергии и зависящая от оптических
свойств поверхности. Световое давление на полностью отражающую
зеркальную поверхность вдвое больше, чем на полностью поглоща-
ющую при прочих равных условиях.

Обьяснить это явление можно как с волновой, так и с кор-
пускулярной точек зрения на природу света. В первом случае это
результат взаимодействия электрического тока, наведенного в
теле электрическим полем световой волны, с ее магнитным полем
по закону Ампера. Во втором - результат передачи импульса фо-
тонов поглощающей или отражающей стенке.

Величина светового давления мала. Так, яркий солнечный
свет давит на 1 кв.м. черной поверхности с силой всего лишь 0,
4 мГ. Однако простота управления световым потоком, "оксеон-
тактность" воздействия и "избирательность" светового давления
в отношении тел с различными поглощающими и отражающими свойс-
твами позволяют с успехом использовать это явление в изобрета-
тельстве (например, фотонная ракета).
Согласно патенту США 3 590 932: световое давление исполь-
зуется в микроскопах для уравновешивания малых изменений массы
или силы. Измерительное фотоэлектрическое устройство определя-
ет, какая величина светового потока, а следовательно исветово-
го давления, потребовалась для компенсации изменения массы об-
разца и восстановления равновесия системы.
А.с. 174 432: Способ перекачки газов или паров из сосуда
в сосуд путем создания перепада давления на разделяющей оба
сосуда перегородке, имеющей отверстие, отличающийся тем, что с
целью повышения эффективности откачки, на отверстие в перего-
родке фокусируют световой пучек, излучаемый, напрмер, лазером.
2. Способ по п.1 отличающийся тем, что с целью осущест-
вления избирательной отакачки газов или паров и, в частности,
с целью разделения изотопных смесей газов или паров, ширину
спектра излучения избирают меньше частотного разноса центров
линий поглощения соседних с них компонентов, при этом частоту
излучателя настраивают на центр линии поглощения откачиваимого
компонента.
13.2. Отражение и преломление света.
При падении параллельного пучка света на гладкую поверх-
ность раздела двух прозрачных изотропных сред часть света от-
ражается обратно, а другая часть проходит во вторую среду, при
этом направление пучка света меняется; происходит преломление
света.

Угол отражения равен углу падения, а угол преломления
связан с углом падения соотношением: где п1 и п2 - показатели
преломления сред, и - углы падения и преломления.

Показатели преломления обычных газов (при нормальных ус-
ловиях) близки к 1, для стекл эта величина порядка от 1,4 до
1,7.

Эффекты отражения и преломления лежат в основе работы
всех оптических систем, которые позволяют передавать световую
энергию и изображения, фокусировать свет в мощные пучки, раз-
лагать его в спектр (см. Дисперсия).
США патент 3 562 530: Способ получения и нагревания не-
загрязненных пламоидов заключается в том, что мишень распола-
гается в первой сопряженной фональной точке закрытой камеры,
которая представляет собой зеркально отражающую систему, во
второй фональной точке, сопряженой спервой, генерируют корот-
кий импульс электромагнитной энергии. Эта энергия фокусируется
на мишень, которая нагревается до очень высокой температуры.
Отраженный свет может нести значительную информацию о
форме предмета (а также о структуре его поверхности) как в
случае зеркального, так и диффузного отражения.
А.с. 521 086: Способ определения пайки выводов радиодета-
ле, напрмер, резисторов, при котором производят погружение вы-
вода в каплю расплавленного припоя и регистрируют интервал
времени между соприкосновением вывода с каплей и замыканием
капли над ним, отличающийся тем, что с целью повышения точнос-
ти измерения времени пайки, на поверхность капли припоя нап-
равляют луч света в форме узкой полосы и фиксируют интервал
времени между началом отклонения отраженного от поверхности
капли луча до его возвращения в исходное положение, используя
фотоэлемент, соединенный со счетчиком времени.

А.с. : Способ определения частоты обработки поверхности,
заключающийся в том, что напрвляют световой поток на контроли-
руемую поверхность и регистрируют световой поток, отраженный
от нее, отличающийся тем, что с целью повышения точности изме-
рения, поворачивают контролируемую поверхность вокруг оси,
перпендикулярной плоскости падения светового потока, регистри-
руют угол наклона, при котором отраженный от него световой по-
ток будет составлять заданую часть, например, половину от мак-
симального, и по алгебраической разности определяют чистоту
обработки поверхности.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86