, 1966.
6. Чернышов и др., "Лазеры в системах связи",
М., 1966.
7. В.В.Козелкин, И.Ф.Усольцев, Основы инфракрасной
техники, М.,"машиностроение", 1974.
8. Б.Лендьел, Лазеры, пер.с англ.,М.,1964.
9. А.с. 239423, 239694, 209638, 208328, 208329,
109939, 167072.
США патенты 3826576,3820897, 3826575, 3588253,
3588439, 3825347, 3588255.
14. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОХИМЕЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ.
14.1.1. Фотоэффект.
Явление внешнего фотоэффекта состоит в испускании (эмис-
сии) электронов с поверхности тела под действием света; для
этого явления эксперементально установленные зависимости обь-
единяются квантовой теорией света. Свет есть поток квантов;
кванты света, попадая в вещество, поглощабтся им; избыточная
энергия передается электронами, которые получают возможность
покинуть это вещество - конечно, если энергия кванта больше,
чем работы выхода электрона (см."Электронная эмиссия"). Заме-
тим, что квантовый характер света проявляющийся в явлении фо-
тоэффекта, не следует понимать как отрицание волновых свойств
света; свет есть и поток квантов, и электромагнитная волна -
просто в зависимости от конкретного явления проявляются или
квантовые, или волновые свойства. На основе внешнего фотоэф-
фекта создан ряд фотоэлектронных приборов (фотоэлементы раз-
личного назначения, фотокатоды, фотоумножители и т.д.). Внеш-
ний фотоэффект играет большую роль в развитии электрических
зарядов; фотоэффект в газах определяет распространение элект-
рического заряда в газах при больших давлениях обуславливая
высокую скорость распространения стримерной формы разряда (ис-
кры, молнии) (1-4).
А.с. 488 718: Способ спектрометрии оптического излучения,
отличающийся тем, что с целью упрощения спектральных работ,
спектральный состав излучения определяют по кинетическим энер-
гиям фотоэлектронов генерируемых при фотомонизации атомов и
молекул.
Кроме внешнего фотоэффекта, существует внутренний фотоэф-
фект. Квант света, проникая внутрь вещества, выбивает электрон
переводя его из связанного состояния (в атоме) свободное - та-
ким образом, при облучении полупроводников и диэлектриков
из-за фотоэффекта внутри кристаллов появляются свободные носи-
тели, тока, что существенно изменяет электропроводность ве-
щества. На основе внутреннего фотоэффекта созданы различного
рода фоторезисторы-элементы, сильно изменяющие свое сопротив-
ление под действием света (5,6).
А.с. 309339: Устройство для управления световым лучом,
выполненное ввиде конденсатора между электродами которого зак-
лючен слой вещества изменяющего прозрачность под действием
электрического поля, отличающееся тем, что с целью уменьшения
габаритов, один из электродов конденсатора связанный с источ-
ником управляющей электродвижущей силы выполнен из материала,
обладающего эффектом возникновения фотоэлектродвижущей силы.
А.с. 508828: Пьезоэлектрический преобразователь с опти-
ческим управленим, содержащий фоторезисторный слой, светопро-
вод и металлический электрод, отличающееся тем, что с целью
расширения частотного диавпазона в облать низких мегагерцевых
и высоких килогерцевых частот, он выполнен ввиде пьезокерами-
ческой платины, на одну сторону которой нанесен металлический
электрод, а на противоположную - фоторезисторный слой и проз-
рачный электрод, являющийся одновременно светопроводом.
Разновидностью внутреннего фотоэффекта является вентиль-
ный фотоэффект - появление э.д.с. в месте контакта двух полуп-
роводников (или полупроводника и металла). Основное применение
вентильных фотоэлементов - индикация электромагнитного излуче-
ния.
На основе вентильного фотоэффекта работают также солнеч-
ные батареи. Одним из приборов работающих на вентильном фото-
эффекте, является фотодиод, обладающий многими преимуществами
по сравнению с обычными фотоэлементами (7).
А.с. 475719: Устройство для регулирования напряжения
электромагнитных генераторов содержащее датчик тока, ввиде
шунта в цепи его нагрузки и импульсный транзисторный усили-
тель, ко входу которого подключены последовательно стабилиза-
торон с ограничивающим резистором и формирователь пилообразно-
го напряжения, к выходу обмотка возбуждения генератора,
отличающееся тем, что с целью повышения надежности и точности
регулирования параллельно упомянутому шунту включен светодиод
одноэлектронной пары, фотодиод который через цепь подпитки
подключен параллельно огрничивающему резистору.
14.1.2. Эффект Дембера (фотодиффузный эффект).
Внесобственных полупроводниках коэффициенты диффузий но-
сителей тока (электронов и дырок) различные. Таким образом,
если какой-то части проводника фотоактивное освещение создает
одинаковое число электронов и дырок, то диффузия этих носите-
лей будет происходить с разной скоростью, в результате чего в
кристалле возникает э.д.с. (1).
14.1.3. Фотопьезоэлектрический эффект.

Обеспечить различие подвижности фотоэлектронов и фотоды-
рок в полупроводнике можно каким-либо внешним воздействием.
Так, при одностороннем сжатии освещенного полупроводника на
грани кристалла, перпендикулярно направлению сжатия, возникает
э.д.с., знак которой зависит от направления сжатия и направле-
ния светового потока, а величина пропорциональна давлению и
интенсивности света. Эффект возникает из-за того, что подвиж-
ности разноименных носителей тока, обусловленных внутренним
фотоэффектом, при упругой деформации кристалла становятся не
одинаковыми по отношению к различным направлениям (3).
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86